MLCC

MLCC

被動元件 MLCC 產業將正式進入「品質勝於產量」的成熟成長階段

被動元件 MLCC 產業將正式進入「品質勝於產量」的成熟成長階段

被動元件 MLCC 產業將正式進入「品質勝於產量」的成熟成長階段

前言:

MLCC(積層陶瓷電容) 被譽為電子工業的「工業食糧」,隨著生成式 AI 算力從雲端滲透至邊緣,以及全球電動車轉型進入深水區,MLCC 正迎來一場以「高階化、客製化、高可靠度」為核心的結構性行情。

首先,AI 伺服器規格的飛躍式成長,徹底改寫了被動元件的用量邏輯。 其次,能源系統的電氣化與車用電子,正為 MLCC 創造長期的剛性增量。 最後,面對矽電容在超高頻應用中的挑戰,MLCC 正透過材料端的精密陶瓷粉末革新與薄層化積層製程持續守住其成本與容值優勢。

作者:

製造新觀點

更新日期:

2025 年 12 月 26 日

01

MLCC 的定義、構造與核心

MLCC(積層陶瓷電容)是由陶瓷介電層與金屬電極交替堆疊而成,本質上是一種以物理方式儲存與釋放電荷的被動元件。在電路系統中,它更像是一座「微型水庫」與「濾波站」,當電壓出現波動時即時補償,並有效抑制高頻雜訊,確保 CPU、GPU 等高密度晶片能在穩定、純淨的電流環境下運作。

隨著電子裝置朝向高效能、輕薄化與高度整合發展,MLCC 以其體積小、高頻特性佳、壽命長與可靠度高的優勢,成為目前應用最廣泛、產值最高的被動元件,約佔電容器市場的 90% 以上。

  • 電壓穩定與瞬時補償:當外部電力不穩時,MLCC 釋放儲存電荷以維持電路穩定運作。

  • 高頻雜訊抑制:有效通過高頻交流訊號,同時隔離不必要的干擾,確保訊號品質。

  • 高度整合技術:透過陶瓷與電極層的極薄化(奈米等級),在有限體積中提升容量。

  • 低損耗特性:在高頻運作下能量損失極低,符合行動裝置與高效能運算的電源需求。

MLCC 是所有數位系統「穩定運作」的隱形基礎。過去在電子設計高度整合的趨勢下,堆疊層數逐漸逼近物理極限,而材料科學該如何接棒,是延續 MLCC 的容量成長曲線的關鍵。未來,MLCC 將與先進封裝技術更深度整合,透過材料與製程的持續創新,協助系統設計突破空間限制,將更高頻、更穩定的電力精準送達運算核心,支撐日益複雜的數位世界。

01

MLCC 的定義、構造與核心

MLCC(積層陶瓷電容)是由陶瓷介電層與金屬電極交替堆疊而成,本質上是一種以物理方式儲存與釋放電荷的被動元件。在電路系統中,它更像是一座「微型水庫」與「濾波站」,當電壓出現波動時即時補償,並有效抑制高頻雜訊,確保 CPU、GPU 等高密度晶片能在穩定、純淨的電流環境下運作。

隨著電子裝置朝向高效能、輕薄化與高度整合發展,MLCC 以其體積小、高頻特性佳、壽命長與可靠度高的優勢,成為目前應用最廣泛、產值最高的被動元件,約佔電容器市場的 90% 以上。

  • 電壓穩定與瞬時補償:當外部電力不穩時,MLCC 釋放儲存電荷以維持電路穩定運作。

  • 高頻雜訊抑制:有效通過高頻交流訊號,同時隔離不必要的干擾,確保訊號品質。

  • 高度整合技術:透過陶瓷與電極層的極薄化(奈米等級),在有限體積中提升容量。

  • 低損耗特性:在高頻運作下能量損失極低,符合行動裝置與高效能運算的電源需求。

MLCC 是所有數位系統「穩定運作」的隱形基礎。過去在電子設計高度整合的趨勢下,堆疊層數逐漸逼近物理極限,而材料科學該如何接棒,是延續 MLCC 的容量成長曲線的關鍵。未來,MLCC 將與先進封裝技術更深度整合,透過材料與製程的持續創新,協助系統設計突破空間限制,將更高頻、更穩定的電力精準送達運算核心,支撐日益複雜的數位世界。

01

MLCC 的定義、構造與核心

MLCC(積層陶瓷電容)是由陶瓷介電層與金屬電極交替堆疊而成,本質上是一種以物理方式儲存與釋放電荷的被動元件。在電路系統中,它更像是一座「微型水庫」與「濾波站」,當電壓出現波動時即時補償,並有效抑制高頻雜訊,確保 CPU、GPU 等高密度晶片能在穩定、純淨的電流環境下運作。

隨著電子裝置朝向高效能、輕薄化與高度整合發展,MLCC 以其體積小、高頻特性佳、壽命長與可靠度高的優勢,成為目前應用最廣泛、產值最高的被動元件,約佔電容器市場的 90% 以上。

  • 電壓穩定與瞬時補償:當外部電力不穩時,MLCC 釋放儲存電荷以維持電路穩定運作。

  • 高頻雜訊抑制:有效通過高頻交流訊號,同時隔離不必要的干擾,確保訊號品質。

  • 高度整合技術:透過陶瓷與電極層的極薄化(奈米等級),在有限體積中提升容量。

  • 低損耗特性:在高頻運作下能量損失極低,符合行動裝置與高效能運算的電源需求。

MLCC 是所有數位系統「穩定運作」的隱形基礎。過去在電子設計高度整合的趨勢下,堆疊層數逐漸逼近物理極限,而材料科學該如何接棒,是延續 MLCC 的容量成長曲線的關鍵。未來,MLCC 將與先進封裝技術更深度整合,透過材料與製程的持續創新,協助系統設計突破空間限制,將更高頻、更穩定的電力精準送達運算核心,支撐日益複雜的數位世界。

02

AI 伺服器對 MLCC 的需求成長

AI 伺服器的快速擴張,已成為當前 MLCC 市場最明確、也最具爆發力的成長動能。相較於傳統伺服器約 1,000 至 2,000 顆的 MLCC 用量,高效能 AI 架構下,單機需求往往成倍提升。關鍵不在於「數量增加」,而在於 AI 運算帶來的劇烈電流波動,迫使系統必須配置更多高容值、耐高溫的 MLCC 進行去耦合(Decoupling),避免電力瞬變造成運算錯誤。

  • GPU 電流需求: 高階 GPU 功耗動輒超過 700W,需要大量 MLCC 近距離配置以穩定供電。

  • 規格門檻提高:AI 伺服器偏好大尺寸、高電容量 MLCC,技術門檻與毛利率皆高於一般型產品。

  • 電源模組升級:伺服器 PSU 功率同步放大,推升高壓、大容量 MLCC 的結構性需求。

  • 高溫耐受要求: 伺服器機櫃內部高溫,要求 MLCC 必須在 125°C 甚至 150°C 環境下維持電性能不衰減。

總而言之,AI 伺服器正把 MLCC 推進一個「規格驅動」的新成長階段。而當 AI 算力持續翻倍,被動元件供應鏈應跟上其速度與複雜度。對於 AI 專用、客製化 MLCC 將逐步成為主流,被動元件廠的角色也將從零件供應者,轉向與系統廠共同設計電源管理方案,協助資料中心在效能提升的同時,實際降低能耗與 PUE,回應算力成長帶來的能源壓力。

02

AI 伺服器對 MLCC 的需求成長

AI 伺服器的快速擴張,已成為當前 MLCC 市場最明確、也最具爆發力的成長動能。相較於傳統伺服器約 1,000 至 2,000 顆的 MLCC 用量,高效能 AI 架構下,單機需求往往成倍提升。關鍵不在於「數量增加」,而在於 AI 運算帶來的劇烈電流波動,迫使系統必須配置更多高容值、耐高溫的 MLCC 進行去耦合(Decoupling),避免電力瞬變造成運算錯誤。

  • GPU 電流需求: 高階 GPU 功耗動輒超過 700W,需要大量 MLCC 近距離配置以穩定供電。

  • 規格門檻提高:AI 伺服器偏好大尺寸、高電容量 MLCC,技術門檻與毛利率皆高於一般型產品。

  • 電源模組升級:伺服器 PSU 功率同步放大,推升高壓、大容量 MLCC 的結構性需求。

  • 高溫耐受要求: 伺服器機櫃內部高溫,要求 MLCC 必須在 125°C 甚至 150°C 環境下維持電性能不衰減。

總而言之,AI 伺服器正把 MLCC 推進一個「規格驅動」的新成長階段。而當 AI 算力持續翻倍,被動元件供應鏈應跟上其速度與複雜度。對於 AI 專用、客製化 MLCC 將逐步成為主流,被動元件廠的角色也將從零件供應者,轉向與系統廠共同設計電源管理方案,協助資料中心在效能提升的同時,實際降低能耗與 PUE,回應算力成長帶來的能源壓力。

02

AI 伺服器對 MLCC 的需求成長

AI 伺服器的快速擴張,已成為當前 MLCC 市場最明確、也最具爆發力的成長動能。相較於傳統伺服器約 1,000 至 2,000 顆的 MLCC 用量,高效能 AI 架構下,單機需求往往成倍提升。關鍵不在於「數量增加」,而在於 AI 運算帶來的劇烈電流波動,迫使系統必須配置更多高容值、耐高溫的 MLCC 進行去耦合(Decoupling),避免電力瞬變造成運算錯誤。

  • GPU 電流需求: 高階 GPU 功耗動輒超過 700W,需要大量 MLCC 近距離配置以穩定供電。

  • 規格門檻提高:AI 伺服器偏好大尺寸、高電容量 MLCC,技術門檻與毛利率皆高於一般型產品。

  • 電源模組升級:伺服器 PSU 功率同步放大,推升高壓、大容量 MLCC 的結構性需求。

  • 高溫耐受要求: 伺服器機櫃內部高溫,要求 MLCC 必須在 125°C 甚至 150°C 環境下維持電性能不衰減。

總而言之,AI 伺服器正把 MLCC 推進一個「規格驅動」的新成長階段。而當 AI 算力持續翻倍,被動元件供應鏈應跟上其速度與複雜度。對於 AI 專用、客製化 MLCC 將逐步成為主流,被動元件廠的角色也將從零件供應者,轉向與系統廠共同設計電源管理方案,協助資料中心在效能提升的同時,實際降低能耗與 PUE,回應算力成長帶來的能源壓力。

03

車用電子對 MLCC 的需求成長

除了 AI 伺服器,電動車與自駕技術正成為 MLCC 另一條更長、更穩定的成長曲線。相較於一輛燃油車約 3,000 顆 MLCC,純電動車(EV)的用量直接跳升至 10,000–15,000 顆,增幅接近 5 倍。車用 MLCC 的要求極度嚴苛,必須通過車規認證(例如. AEC-Q200),並具備長達 15 年的使用壽命。隨著車輛轉型為「裝上輪子的超級電腦」,其 ADAS 與車載運算系統對被動元件的要求,已逐步向 AI 伺服器靠攏。

  • 功能安全要求:動力、轉向與煞車系統相關 MLCC,必須符合車規認證,並具備極高的失效安全性與可靠性。

  • 惡劣環境耐受:長期承受震動、高濕與極端溫差,對材料與製程穩定性是長期考驗。

  • 高壓平台驅動:800V 快充架構普及,推動 1,000V 以上高耐壓 MLCC 的專用化需求。

  • 軟體定義汽車:智慧座艙、感測器與高速通訊模組,持續拉高通訊型 MLCC 的滲透率。

車用電子正把 MLCC 推向「極致可靠」的競賽場。汽車若使用長達十年以上,汽車系統中的 MLCC 是否能承受老化風險?未來,具備更高容錯結構、甚至導入自我監測概念的車規 MLCC,將逐步成為主流。透過與 Tier 1 系統廠的深度協同開發,被動元件廠不再只是零件供應者,而是汽車電子可靠性的一部分,實質推動高階自駕系統的落地。

03

車用電子對 MLCC 的需求成長

除了 AI 伺服器,電動車與自駕技術正成為 MLCC 另一條更長、更穩定的成長曲線。相較於一輛燃油車約 3,000 顆 MLCC,純電動車(EV)的用量直接跳升至 10,000–15,000 顆,增幅接近 5 倍。車用 MLCC 的要求極度嚴苛,必須通過車規認證(例如. AEC-Q200),並具備長達 15 年的使用壽命。隨著車輛轉型為「裝上輪子的超級電腦」,其 ADAS 與車載運算系統對被動元件的要求,已逐步向 AI 伺服器靠攏。

  • 功能安全要求:動力、轉向與煞車系統相關 MLCC,必須符合車規認證,並具備極高的失效安全性與可靠性。

  • 惡劣環境耐受:長期承受震動、高濕與極端溫差,對材料與製程穩定性是長期考驗。

  • 高壓平台驅動:800V 快充架構普及,推動 1,000V 以上高耐壓 MLCC 的專用化需求。

  • 軟體定義汽車:智慧座艙、感測器與高速通訊模組,持續拉高通訊型 MLCC 的滲透率。

車用電子正把 MLCC 推向「極致可靠」的競賽場。汽車若使用長達十年以上,汽車系統中的 MLCC 是否能承受老化風險?未來,具備更高容錯結構、甚至導入自我監測概念的車規 MLCC,將逐步成為主流。透過與 Tier 1 系統廠的深度協同開發,被動元件廠不再只是零件供應者,而是汽車電子可靠性的一部分,實質推動高階自駕系統的落地。

03

車用電子對 MLCC 的需求成長

除了 AI 伺服器,電動車與自駕技術正成為 MLCC 另一條更長、更穩定的成長曲線。相較於一輛燃油車約 3,000 顆 MLCC,純電動車(EV)的用量直接跳升至 10,000–15,000 顆,增幅接近 5 倍。車用 MLCC 的要求極度嚴苛,必須通過車規認證(例如. AEC-Q200),並具備長達 15 年的使用壽命。隨著車輛轉型為「裝上輪子的超級電腦」,其 ADAS 與車載運算系統對被動元件的要求,已逐步向 AI 伺服器靠攏。

  • 功能安全要求:動力、轉向與煞車系統相關 MLCC,必須符合車規認證,並具備極高的失效安全性與可靠性。

  • 惡劣環境耐受:長期承受震動、高濕與極端溫差,對材料與製程穩定性是長期考驗。

  • 高壓平台驅動:800V 快充架構普及,推動 1,000V 以上高耐壓 MLCC 的專用化需求。

  • 軟體定義汽車:智慧座艙、感測器與高速通訊模組,持續拉高通訊型 MLCC 的滲透率。

車用電子正把 MLCC 推向「極致可靠」的競賽場。汽車若使用長達十年以上,汽車系統中的 MLCC 是否能承受老化風險?未來,具備更高容錯結構、甚至導入自我監測概念的車規 MLCC,將逐步成為主流。透過與 Tier 1 系統廠的深度協同開發,被動元件廠不再只是零件供應者,而是汽車電子可靠性的一部分,實質推動高階自駕系統的落地。

04

GPU 功耗與 MLCC 的技術挑戰

GPU 是 AI 的大腦,也是 MLCC 最大、最挑剔的消耗者。隨著 Blackwell 等新世代架構登場,GPU 的功率密度與瞬時負載變化進一步放大,電源穩定性不再只是配角,而是效能能否完整釋放的前提。當 GPU 在待機與滿載之間高速切換時,瞬間湧現的大電流極易引發電壓下陷,而 MLCC 正是防止這場「電力崩潰」的第一道防線。

真正的技術難題不在於「多放幾顆電容」,而是如何在 GPU 封裝周圍極度有限的空間內,放入足夠有效的去耦合能力,且在高頻、高溫與長時間運作下不產生微裂縫(Micro-crack)。這使得高階 MLCC 的材料配方、層壓精度與可靠性,開始直接影響整個 GPU 系統的效能天花板。

  • 低感抗 (ESL) 需求: 為應對 GPU 的高速開關,MLCC 必須具備極低感抗,以縮短反應時間。

  • 薄層化與多層化: 在單顆 MLCC 內堆疊超過千層,以追求極限容值,滿足 GPU 的能量緩衝需求。

  • 電極材料革新: 使用更精密的鎳電極(BME)製程,提升在高電場下的可靠性。

  • 空間佈局優化: 針對 GPU 載板空間限制,開發更薄、更小的「超低高度」MLCC 嵌入封裝中。

總而言之,GPU 與 MLCC 早已不是單純的上下游關係,而是一種效能共生。當 GPU 功耗持續上探,單靠更薄、更密的物理堆疊,則邊際效益遞減。所以硬體的三維積層與近封裝(Near-package)技術勢必導入 MLCC 製造與配置邏輯,讓電容與邏輯晶片在物理距離上更為貼近。當阻抗被壓到最低,AI 晶片才能真正突破頻率牆,將算力轉化為更高的能效與實際吞吐。

04

GPU 功耗與 MLCC 的技術挑戰

GPU 是 AI 的大腦,也是 MLCC 最大、最挑剔的消耗者。隨著 Blackwell 等新世代架構登場,GPU 的功率密度與瞬時負載變化進一步放大,電源穩定性不再只是配角,而是效能能否完整釋放的前提。當 GPU 在待機與滿載之間高速切換時,瞬間湧現的大電流極易引發電壓下陷,而 MLCC 正是防止這場「電力崩潰」的第一道防線。

真正的技術難題不在於「多放幾顆電容」,而是如何在 GPU 封裝周圍極度有限的空間內,放入足夠有效的去耦合能力,且在高頻、高溫與長時間運作下不產生微裂縫(Micro-crack)。這使得高階 MLCC 的材料配方、層壓精度與可靠性,開始直接影響整個 GPU 系統的效能天花板。

  • 低感抗 (ESL) 需求: 為應對 GPU 的高速開關,MLCC 必須具備極低感抗,以縮短反應時間。

  • 薄層化與多層化: 在單顆 MLCC 內堆疊超過千層,以追求極限容值,滿足 GPU 的能量緩衝需求。

  • 電極材料革新: 使用更精密的鎳電極(BME)製程,提升在高電場下的可靠性。

  • 空間佈局優化: 針對 GPU 載板空間限制,開發更薄、更小的「超低高度」MLCC 嵌入封裝中。

總而言之,GPU 與 MLCC 早已不是單純的上下游關係,而是一種效能共生。當 GPU 功耗持續上探,單靠更薄、更密的物理堆疊,則邊際效益遞減。所以硬體的三維積層與近封裝(Near-package)技術勢必導入 MLCC 製造與配置邏輯,讓電容與邏輯晶片在物理距離上更為貼近。當阻抗被壓到最低,AI 晶片才能真正突破頻率牆,將算力轉化為更高的能效與實際吞吐。

04

GPU 功耗與 MLCC 的技術挑戰

GPU 是 AI 的大腦,也是 MLCC 最大、最挑剔的消耗者。隨著 Blackwell 等新世代架構登場,GPU 的功率密度與瞬時負載變化進一步放大,電源穩定性不再只是配角,而是效能能否完整釋放的前提。當 GPU 在待機與滿載之間高速切換時,瞬間湧現的大電流極易引發電壓下陷,而 MLCC 正是防止這場「電力崩潰」的第一道防線。

真正的技術難題不在於「多放幾顆電容」,而是如何在 GPU 封裝周圍極度有限的空間內,放入足夠有效的去耦合能力,且在高頻、高溫與長時間運作下不產生微裂縫(Micro-crack)。這使得高階 MLCC 的材料配方、層壓精度與可靠性,開始直接影響整個 GPU 系統的效能天花板。

  • 低感抗 (ESL) 需求: 為應對 GPU 的高速開關,MLCC 必須具備極低感抗,以縮短反應時間。

  • 薄層化與多層化: 在單顆 MLCC 內堆疊超過千層,以追求極限容值,滿足 GPU 的能量緩衝需求。

  • 電極材料革新: 使用更精密的鎳電極(BME)製程,提升在高電場下的可靠性。

  • 空間佈局優化: 針對 GPU 載板空間限制,開發更薄、更小的「超低高度」MLCC 嵌入封裝中。

總而言之,GPU 與 MLCC 早已不是單純的上下游關係,而是一種效能共生。當 GPU 功耗持續上探,單靠更薄、更密的物理堆疊,則邊際效益遞減。所以硬體的三維積層與近封裝(Near-package)技術勢必導入 MLCC 製造與配置邏輯,讓電容與邏輯晶片在物理距離上更為貼近。當阻抗被壓到最低,AI 晶片才能真正突破頻率牆,將算力轉化為更高的能效與實際吞吐。

05

矽電容會取代 MLCC 嗎?

隨著 AI 算力與高頻通訊持續推進,「矽電容(Silicon Capacitor)」開始頻繁出現在產業討論中。由於矽電容採用半導體製程,具備極薄結構、耐高溫(可達 200°C 以上)與高度穩定等特性,不少市場聲音開始質疑:MLCC 是否正走向被取代的命運?
但從系統層級來看,至少在可預見的未來,矽電容與 MLCC 更像是分工明確的夥伴,而非你死我活的替代關係。

矽電容確實在高頻、極端環境下表現亮眼,特別適合貼近晶片核心、處理瞬時訊號完整性的問題;然而,其單位電容量偏低、製造成本高,難以承擔大規模能量緩衝的角色。相對地,MLCC 仍以高電容量、成熟製程與明顯的成本優勢,穩坐電源濾波與去耦合的主力位置。

  • 技術原理差異: 矽電容來自半導體微影製程,MLCC 則依賴陶瓷層壓與燒結工藝。

  • 應用場景區隔: 矽電容多用於光通訊、極高頻或高溫環境;MLCC 則負責大電流、電源穩壓與系統級去耦。

  • 結構厚度優勢: 矽電容可極薄化,適合嵌入封裝內部;MLCC 也正透過薄層化與低高度設計縮小差距。

  • 成本與規模性: 在高容量需求下,MLCC 的單位成本仍遠低於矽電容,具備難以撼動的量產優勢。

總而言之,矽電容的出現,並不是為了全面取代 MLCC,而是補上 MLCC 無法觸及的「極端工作區」。而在同一個系統中,彼此站在最適位置,才能發揮最大整體效益。未來,高階 AI 伺服器很可能採取「混合配置」,也就是在最靠近運算核心的位置,使用矽電容處理高頻與訊號完整性,外圍則大量部署高階 MLCC,提供穩定而充足的能量緩衝。這種分層配置,將有助於突破熱管理與電源完整性的雙重限制,讓算力成長不再被被動元件拖慢腳步。

05

矽電容會取代 MLCC 嗎?

隨著 AI 算力與高頻通訊持續推進,「矽電容(Silicon Capacitor)」開始頻繁出現在產業討論中。由於矽電容採用半導體製程,具備極薄結構、耐高溫(可達 200°C 以上)與高度穩定等特性,不少市場聲音開始質疑:MLCC 是否正走向被取代的命運?
但從系統層級來看,至少在可預見的未來,矽電容與 MLCC 更像是分工明確的夥伴,而非你死我活的替代關係。

矽電容確實在高頻、極端環境下表現亮眼,特別適合貼近晶片核心、處理瞬時訊號完整性的問題;然而,其單位電容量偏低、製造成本高,難以承擔大規模能量緩衝的角色。相對地,MLCC 仍以高電容量、成熟製程與明顯的成本優勢,穩坐電源濾波與去耦合的主力位置。

  • 技術原理差異: 矽電容來自半導體微影製程,MLCC 則依賴陶瓷層壓與燒結工藝。

  • 應用場景區隔: 矽電容多用於光通訊、極高頻或高溫環境;MLCC 則負責大電流、電源穩壓與系統級去耦。

  • 結構厚度優勢: 矽電容可極薄化,適合嵌入封裝內部;MLCC 也正透過薄層化與低高度設計縮小差距。

  • 成本與規模性: 在高容量需求下,MLCC 的單位成本仍遠低於矽電容,具備難以撼動的量產優勢。

總而言之,矽電容的出現,並不是為了全面取代 MLCC,而是補上 MLCC 無法觸及的「極端工作區」。而在同一個系統中,彼此站在最適位置,才能發揮最大整體效益。未來,高階 AI 伺服器很可能採取「混合配置」,也就是在最靠近運算核心的位置,使用矽電容處理高頻與訊號完整性,外圍則大量部署高階 MLCC,提供穩定而充足的能量緩衝。這種分層配置,將有助於突破熱管理與電源完整性的雙重限制,讓算力成長不再被被動元件拖慢腳步。

05

矽電容會取代 MLCC 嗎?

隨著 AI 算力與高頻通訊持續推進,「矽電容(Silicon Capacitor)」開始頻繁出現在產業討論中。由於矽電容採用半導體製程,具備極薄結構、耐高溫(可達 200°C 以上)與高度穩定等特性,不少市場聲音開始質疑:MLCC 是否正走向被取代的命運?
但從系統層級來看,至少在可預見的未來,矽電容與 MLCC 更像是分工明確的夥伴,而非你死我活的替代關係。

矽電容確實在高頻、極端環境下表現亮眼,特別適合貼近晶片核心、處理瞬時訊號完整性的問題;然而,其單位電容量偏低、製造成本高,難以承擔大規模能量緩衝的角色。相對地,MLCC 仍以高電容量、成熟製程與明顯的成本優勢,穩坐電源濾波與去耦合的主力位置。

  • 技術原理差異: 矽電容來自半導體微影製程,MLCC 則依賴陶瓷層壓與燒結工藝。

  • 應用場景區隔: 矽電容多用於光通訊、極高頻或高溫環境;MLCC 則負責大電流、電源穩壓與系統級去耦。

  • 結構厚度優勢: 矽電容可極薄化,適合嵌入封裝內部;MLCC 也正透過薄層化與低高度設計縮小差距。

  • 成本與規模性: 在高容量需求下,MLCC 的單位成本仍遠低於矽電容,具備難以撼動的量產優勢。

總而言之,矽電容的出現,並不是為了全面取代 MLCC,而是補上 MLCC 無法觸及的「極端工作區」。而在同一個系統中,彼此站在最適位置,才能發揮最大整體效益。未來,高階 AI 伺服器很可能採取「混合配置」,也就是在最靠近運算核心的位置,使用矽電容處理高頻與訊號完整性,外圍則大量部署高階 MLCC,提供穩定而充足的能量緩衝。這種分層配置,將有助於突破熱管理與電源完整性的雙重限制,讓算力成長不再被被動元件拖慢腳步。

06

全球供應鏈布局與被動元件三雄

MLCC 供應鏈本身,就是一個高度集中的寡佔結構。日本廠商如村田製作所(Murata)、太陽誘電(Taiyo Yuden),長期掌握高階材料技術與車規市場的關鍵話語權;而台灣的被動元件三雄則是國巨、華新科與大毅(或其整合集團體系),在全球標準型與中高階市場中,扮演不可忽視的供應主力。

國巨透過多起併購,已不再只是單一品項的製造商,而是逐步建立起涵蓋電阻、電容、電感的全系列產品組合,並握有全球通路與客戶關係。這讓台廠在面對供應鏈區域化與地緣政治風險時,具備更高的調度彈性,也更能回應客戶「穩定供貨」而非單純比價的需求。

  • 日廠技術領先: 在超高容值、極微型化(01005 以下)與高可靠度規格上,仍保有難以撼動的技術門檻。

  • 台廠規模優勢: 透過規模經濟與通路整合,台廠在標準型 MLCC 市場中具備穩定市佔與議價能力。

  • 高階轉型策略: 台灣三雄持續切入車用、航太等高門檻領域,試圖鬆動日廠在高毛利市場的結構性優勢。

  • 區域化供應鏈: 因應中美關稅與地緣政治不確定性,產能逐步分散至東南亞與墨西哥,提升交付韌性。

被動元件三雄的全球布局,反映的是競爭邏輯的轉變,這意味著市場不再只看誰的規格最高,而是誰能提供更完整、更可靠的供應解決方案。當規格差距逐漸縮小,「一站式供應」與系統整合能力,將與競爭者拉開距離。另外,供應鏈競爭將進一步轉向「數位韌性」。誰能更精準預測需求波動、即時調度全球產能與物流,誰就能在市場劇烈震盪時維持獲利穩定。台廠若能結合既有的 ICT 與系統整合優勢,把供應鏈管理升級為可預測、可調度的能力,將有機會在 AI 世代與日系大廠形成真正對等的競爭格局。

06

全球供應鏈布局與被動元件三雄

MLCC 供應鏈本身,就是一個高度集中的寡佔結構。日本廠商如村田製作所(Murata)、太陽誘電(Taiyo Yuden),長期掌握高階材料技術與車規市場的關鍵話語權;而台灣的被動元件三雄則是國巨、華新科與大毅(或其整合集團體系),在全球標準型與中高階市場中,扮演不可忽視的供應主力。

國巨透過多起併購,已不再只是單一品項的製造商,而是逐步建立起涵蓋電阻、電容、電感的全系列產品組合,並握有全球通路與客戶關係。這讓台廠在面對供應鏈區域化與地緣政治風險時,具備更高的調度彈性,也更能回應客戶「穩定供貨」而非單純比價的需求。

  • 日廠技術領先: 在超高容值、極微型化(01005 以下)與高可靠度規格上,仍保有難以撼動的技術門檻。

  • 台廠規模優勢: 透過規模經濟與通路整合,台廠在標準型 MLCC 市場中具備穩定市佔與議價能力。

  • 高階轉型策略: 台灣三雄持續切入車用、航太等高門檻領域,試圖鬆動日廠在高毛利市場的結構性優勢。

  • 區域化供應鏈: 因應中美關稅與地緣政治不確定性,產能逐步分散至東南亞與墨西哥,提升交付韌性。

被動元件三雄的全球布局,反映的是競爭邏輯的轉變,這意味著市場不再只看誰的規格最高,而是誰能提供更完整、更可靠的供應解決方案。當規格差距逐漸縮小,「一站式供應」與系統整合能力,將與競爭者拉開距離。另外,供應鏈競爭將進一步轉向「數位韌性」。誰能更精準預測需求波動、即時調度全球產能與物流,誰就能在市場劇烈震盪時維持獲利穩定。台廠若能結合既有的 ICT 與系統整合優勢,把供應鏈管理升級為可預測、可調度的能力,將有機會在 AI 世代與日系大廠形成真正對等的競爭格局。

06

全球供應鏈布局與被動元件三雄

MLCC 供應鏈本身,就是一個高度集中的寡佔結構。日本廠商如村田製作所(Murata)、太陽誘電(Taiyo Yuden),長期掌握高階材料技術與車規市場的關鍵話語權;而台灣的被動元件三雄則是國巨、華新科與大毅(或其整合集團體系),在全球標準型與中高階市場中,扮演不可忽視的供應主力。

國巨透過多起併購,已不再只是單一品項的製造商,而是逐步建立起涵蓋電阻、電容、電感的全系列產品組合,並握有全球通路與客戶關係。這讓台廠在面對供應鏈區域化與地緣政治風險時,具備更高的調度彈性,也更能回應客戶「穩定供貨」而非單純比價的需求。

  • 日廠技術領先: 在超高容值、極微型化(01005 以下)與高可靠度規格上,仍保有難以撼動的技術門檻。

  • 台廠規模優勢: 透過規模經濟與通路整合,台廠在標準型 MLCC 市場中具備穩定市佔與議價能力。

  • 高階轉型策略: 台灣三雄持續切入車用、航太等高門檻領域,試圖鬆動日廠在高毛利市場的結構性優勢。

  • 區域化供應鏈: 因應中美關稅與地緣政治不確定性,產能逐步分散至東南亞與墨西哥,提升交付韌性。

被動元件三雄的全球布局,反映的是競爭邏輯的轉變,這意味著市場不再只看誰的規格最高,而是誰能提供更完整、更可靠的供應解決方案。當規格差距逐漸縮小,「一站式供應」與系統整合能力,將與競爭者拉開距離。另外,供應鏈競爭將進一步轉向「數位韌性」。誰能更精準預測需求波動、即時調度全球產能與物流,誰就能在市場劇烈震盪時維持獲利穩定。台廠若能結合既有的 ICT 與系統整合優勢,把供應鏈管理升級為可預測、可調度的能力,將有機會在 AI 世代與日系大廠形成真正對等的競爭格局。

07

MLCC 價格走勢、庫存與市場循環

MLCC 一向被視為電子產業景氣的風向球,週期性明確。歷經 2022–2023 年的深度庫存調整後,市場在 2024 年下半年出現關鍵轉折,手機需求回溫、AI 應用快速放量,通路與品牌端庫存同步下降,產業已回到相對健康的水位。此時市場真正關心的問題不再是「是否復甦」,而是復甦的結構與可持續性。

目前觀察,標準型 MLCC 價格大致持平,但高階、AI 專用規格已出現明顯的供需吃緊。在 2025 年通膨環境下,陶瓷粉末與金屬電極等上游原料價格波動,也開始重新測試廠商的報價與成本轉嫁能力。

  • BB 值(訂單出貨比):訂單出貨比已回到 1.0 以上,顯示產業景氣脫離谷底,進入擴張區間。

  • 庫存去化成果:通路與品牌端庫存水位回落至約 2 個月,接近長期均衡水準。

  • 高低階市場分化: 標準型產品產能充足,但高容量、高壓規格因產線轉換成本高,呈現供不應求。

  • 上游材料價格: 陶瓷粉末與鈀、鎳金屬價格變動,直接影響 MLCC 的毛利空間。

MLCC 市場已進入「結構性復甦」階段,而非單純的庫存反彈。當需求再起的情況下,產業應避免重演過度擴產、價格快速崩落的循環,儘管這是被動元件產業反覆面對、卻始終難解的經驗瓶頸。確定的是,主流廠商的策略已出現變化,與其大規模擴建新產能,更傾向以製程優化、去瓶頸化與產品結構升級來回應需求成長。這種相對保守、但更精準的資本支出節奏,有助於維持產業整體 ASP(平均售價) 水準,也讓台灣被動元件在多頭結構中,能取得較為穩定、可預期的財務表現。

07

MLCC 價格走勢、庫存與市場循環

MLCC 一向被視為電子產業景氣的風向球,週期性明確。歷經 2022–2023 年的深度庫存調整後,市場在 2024 年下半年出現關鍵轉折,手機需求回溫、AI 應用快速放量,通路與品牌端庫存同步下降,產業已回到相對健康的水位。此時市場真正關心的問題不再是「是否復甦」,而是復甦的結構與可持續性。

目前觀察,標準型 MLCC 價格大致持平,但高階、AI 專用規格已出現明顯的供需吃緊。在 2025 年通膨環境下,陶瓷粉末與金屬電極等上游原料價格波動,也開始重新測試廠商的報價與成本轉嫁能力。

  • BB 值(訂單出貨比):訂單出貨比已回到 1.0 以上,顯示產業景氣脫離谷底,進入擴張區間。

  • 庫存去化成果:通路與品牌端庫存水位回落至約 2 個月,接近長期均衡水準。

  • 高低階市場分化: 標準型產品產能充足,但高容量、高壓規格因產線轉換成本高,呈現供不應求。

  • 上游材料價格: 陶瓷粉末與鈀、鎳金屬價格變動,直接影響 MLCC 的毛利空間。

MLCC 市場已進入「結構性復甦」階段,而非單純的庫存反彈。當需求再起的情況下,產業應避免重演過度擴產、價格快速崩落的循環,儘管這是被動元件產業反覆面對、卻始終難解的經驗瓶頸。確定的是,主流廠商的策略已出現變化,與其大規模擴建新產能,更傾向以製程優化、去瓶頸化與產品結構升級來回應需求成長。這種相對保守、但更精準的資本支出節奏,有助於維持產業整體 ASP(平均售價) 水準,也讓台灣被動元件在多頭結構中,能取得較為穩定、可預期的財務表現。

07

MLCC 價格走勢、庫存與市場循環

MLCC 一向被視為電子產業景氣的風向球,週期性明確。歷經 2022–2023 年的深度庫存調整後,市場在 2024 年下半年出現關鍵轉折,手機需求回溫、AI 應用快速放量,通路與品牌端庫存同步下降,產業已回到相對健康的水位。此時市場真正關心的問題不再是「是否復甦」,而是復甦的結構與可持續性。

目前觀察,標準型 MLCC 價格大致持平,但高階、AI 專用規格已出現明顯的供需吃緊。在 2025 年通膨環境下,陶瓷粉末與金屬電極等上游原料價格波動,也開始重新測試廠商的報價與成本轉嫁能力。

  • BB 值(訂單出貨比):訂單出貨比已回到 1.0 以上,顯示產業景氣脫離谷底,進入擴張區間。

  • 庫存去化成果:通路與品牌端庫存水位回落至約 2 個月,接近長期均衡水準。

  • 高低階市場分化: 標準型產品產能充足,但高容量、高壓規格因產線轉換成本高,呈現供不應求。

  • 上游材料價格: 陶瓷粉末與鈀、鎳金屬價格變動,直接影響 MLCC 的毛利空間。

MLCC 市場已進入「結構性復甦」階段,而非單純的庫存反彈。當需求再起的情況下,產業應避免重演過度擴產、價格快速崩落的循環,儘管這是被動元件產業反覆面對、卻始終難解的經驗瓶頸。確定的是,主流廠商的策略已出現變化,與其大規模擴建新產能,更傾向以製程優化、去瓶頸化與產品結構升級來回應需求成長。這種相對保守、但更精準的資本支出節奏,有助於維持產業整體 ASP(平均售價) 水準,也讓台灣被動元件在多頭結構中,能取得較為穩定、可預期的財務表現。

08

MLCC 的製造工藝與精密陶瓷技術

MLCC 的製造,本質上是一場「奈米級的工藝戰」。在接近一顆沙粒的體積內,堆疊上千層陶瓷薄膜與金屬電極,任何微小偏差都可能讓整顆元件報廢。陶瓷粉末的顆粒尺寸、分散均勻度,直接影響電容量與可靠度。當前先進製程已能將介電層厚度壓到 0.5 微米以下,這讓製程控制從「技術問題」升級為「系統工程」。

過去,這類極限製程高度仰賴資深技師的經驗與手感調校;但隨著智慧製造成熟,領先廠商開始把這些隱性經驗,轉化為可被監測、可被優化的數據模型。

  • 流延成型技術:決定陶瓷薄膜厚度與均勻性的關鍵環節,是容量一致性的起點。

  • 精密堆疊與切割:數千層電極需高度對位,任何誤差都可能在高壓下引發擊穿風險。

  • 高溫共同燒結: 陶瓷與金屬電極的收縮率不同,溫升曲線的控制直接影響裂紋與良率。

  • 智慧影像檢測: 透過 AI 自動辨識微米級缺陷,逐步取代成本高、效率低的人工全檢。

製造工藝仍是 MLCC 產業最深的護城河,當製程已逼近物理極限,企業將資深技師的隱性經驗,轉化為可複製、可擴張的數位能力便是競爭關鍵。被動元件產線的競爭,將不再只是設備精度,而是資料治理能力,實現完全無人化的「黑燈工廠」。隨著製程模擬、材料資料庫與 AI 控制模型逐步成熟,MLCC 新規格的開發週期可望持續縮短。這不僅有助於快速回應 AI 與車用客戶的需求,也將讓具備數位製造優勢的廠商,在下一輪規格競賽中拉開差距。

08

MLCC 的製造工藝與精密陶瓷技術

MLCC 的製造,本質上是一場「奈米級的工藝戰」。在接近一顆沙粒的體積內,堆疊上千層陶瓷薄膜與金屬電極,任何微小偏差都可能讓整顆元件報廢。陶瓷粉末的顆粒尺寸、分散均勻度,直接影響電容量與可靠度。當前先進製程已能將介電層厚度壓到 0.5 微米以下,這讓製程控制從「技術問題」升級為「系統工程」。

過去,這類極限製程高度仰賴資深技師的經驗與手感調校;但隨著智慧製造成熟,領先廠商開始把這些隱性經驗,轉化為可被監測、可被優化的數據模型。

  • 流延成型技術:決定陶瓷薄膜厚度與均勻性的關鍵環節,是容量一致性的起點。

  • 精密堆疊與切割:數千層電極需高度對位,任何誤差都可能在高壓下引發擊穿風險。

  • 高溫共同燒結: 陶瓷與金屬電極的收縮率不同,溫升曲線的控制直接影響裂紋與良率。

  • 智慧影像檢測: 透過 AI 自動辨識微米級缺陷,逐步取代成本高、效率低的人工全檢。

製造工藝仍是 MLCC 產業最深的護城河,當製程已逼近物理極限,企業將資深技師的隱性經驗,轉化為可複製、可擴張的數位能力便是競爭關鍵。被動元件產線的競爭,將不再只是設備精度,而是資料治理能力,實現完全無人化的「黑燈工廠」。隨著製程模擬、材料資料庫與 AI 控制模型逐步成熟,MLCC 新規格的開發週期可望持續縮短。這不僅有助於快速回應 AI 與車用客戶的需求,也將讓具備數位製造優勢的廠商,在下一輪規格競賽中拉開差距。

08

MLCC 的製造工藝與精密陶瓷技術

MLCC 的製造,本質上是一場「奈米級的工藝戰」。在接近一顆沙粒的體積內,堆疊上千層陶瓷薄膜與金屬電極,任何微小偏差都可能讓整顆元件報廢。陶瓷粉末的顆粒尺寸、分散均勻度,直接影響電容量與可靠度。當前先進製程已能將介電層厚度壓到 0.5 微米以下,這讓製程控制從「技術問題」升級為「系統工程」。

過去,這類極限製程高度仰賴資深技師的經驗與手感調校;但隨著智慧製造成熟,領先廠商開始把這些隱性經驗,轉化為可被監測、可被優化的數據模型。

  • 流延成型技術:決定陶瓷薄膜厚度與均勻性的關鍵環節,是容量一致性的起點。

  • 精密堆疊與切割:數千層電極需高度對位,任何誤差都可能在高壓下引發擊穿風險。

  • 高溫共同燒結: 陶瓷與金屬電極的收縮率不同,溫升曲線的控制直接影響裂紋與良率。

  • 智慧影像檢測: 透過 AI 自動辨識微米級缺陷,逐步取代成本高、效率低的人工全檢。

製造工藝仍是 MLCC 產業最深的護城河,當製程已逼近物理極限,企業將資深技師的隱性經驗,轉化為可複製、可擴張的數位能力便是競爭關鍵。被動元件產線的競爭,將不再只是設備精度,而是資料治理能力,實現完全無人化的「黑燈工廠」。隨著製程模擬、材料資料庫與 AI 控制模型逐步成熟,MLCC 新規格的開發週期可望持續縮短。這不僅有助於快速回應 AI 與車用客戶的需求,也將讓具備數位製造優勢的廠商,在下一輪規格競賽中拉開差距。

09

5G/6G 通訊對 MLCC 的需求

通訊技術的迭代,是 MLCC 需求最穩定、也最可預期的底層支撐。5G 採用更高頻段,訊號衰減速度明顯加快,迫使基地台密度相較 4G 提升至 2 倍以上。更關鍵的是,每座 5G 基地台所使用的 MLCC 數量,約為 4G 的 3 倍,且規格明顯往高功率、高耐候性集中。

隨著 6G 研發啟動,通訊頻率將進入太赫茲(THz)領域, MLCC 的角色也從「通用被動元件」轉向「通訊系統可靠度的一部分」。需求成長不只來自手機端,而是整個通訊基礎建設的結構性升級。

  • 高頻穩定性:在 GHz 等級頻率下,仍需維持電容量穩定,避免訊號失真。

  • 耐候性與壽命: 戶外基地台需應對極端天候,零件壽命必須長達 10 年以上。

  • MIMO 技術支持:大規模陣列天線架構下,需要大量微型 MLCC 進行訊號解耦與雜訊過濾。

  • 低功耗需求: 為符合綠色通訊趨勢,通訊用 MLCC 必須持續壓低寄生電阻與能量損耗。

隨著 6G 研發正式啟動,MLCC 面對的已不只是規格升級,而是物理極限的挑戰,必須確保低感抗、低損耗將從「加分項」變成「入場門檻」。因此,當頻率持續拉高、元件尺寸卻無法無限縮小,電路架構必定需要重新設計。

另外,被動元件與通訊晶片的界線將逐漸模糊。透過 LTCC 等模組化封裝技術,將 MLCC 功能直接整合進陶瓷基板,不僅能縮短傳輸路徑,也有助於解決 5G 時代已浮現的高功耗與高熱問題。對 MLCC 產業而言,這不只是需求成長,而是角色升級。

09

5G/6G 通訊對 MLCC 的需求

通訊技術的迭代,是 MLCC 需求最穩定、也最可預期的底層支撐。5G 採用更高頻段,訊號衰減速度明顯加快,迫使基地台密度相較 4G 提升至 2 倍以上。更關鍵的是,每座 5G 基地台所使用的 MLCC 數量,約為 4G 的 3 倍,且規格明顯往高功率、高耐候性集中。

隨著 6G 研發啟動,通訊頻率將進入太赫茲(THz)領域, MLCC 的角色也從「通用被動元件」轉向「通訊系統可靠度的一部分」。需求成長不只來自手機端,而是整個通訊基礎建設的結構性升級。

  • 高頻穩定性:在 GHz 等級頻率下,仍需維持電容量穩定,避免訊號失真。

  • 耐候性與壽命: 戶外基地台需應對極端天候,零件壽命必須長達 10 年以上。

  • MIMO 技術支持:大規模陣列天線架構下,需要大量微型 MLCC 進行訊號解耦與雜訊過濾。

  • 低功耗需求: 為符合綠色通訊趨勢,通訊用 MLCC 必須持續壓低寄生電阻與能量損耗。

隨著 6G 研發正式啟動,MLCC 面對的已不只是規格升級,而是物理極限的挑戰,必須確保低感抗、低損耗將從「加分項」變成「入場門檻」。因此,當頻率持續拉高、元件尺寸卻無法無限縮小,電路架構必定需要重新設計。

另外,被動元件與通訊晶片的界線將逐漸模糊。透過 LTCC 等模組化封裝技術,將 MLCC 功能直接整合進陶瓷基板,不僅能縮短傳輸路徑,也有助於解決 5G 時代已浮現的高功耗與高熱問題。對 MLCC 產業而言,這不只是需求成長,而是角色升級。

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5G/6G 通訊對 MLCC 的需求

通訊技術的迭代,是 MLCC 需求最穩定、也最可預期的底層支撐。5G 採用更高頻段,訊號衰減速度明顯加快,迫使基地台密度相較 4G 提升至 2 倍以上。更關鍵的是,每座 5G 基地台所使用的 MLCC 數量,約為 4G 的 3 倍,且規格明顯往高功率、高耐候性集中。

隨著 6G 研發啟動,通訊頻率將進入太赫茲(THz)領域, MLCC 的角色也從「通用被動元件」轉向「通訊系統可靠度的一部分」。需求成長不只來自手機端,而是整個通訊基礎建設的結構性升級。

  • 高頻穩定性:在 GHz 等級頻率下,仍需維持電容量穩定,避免訊號失真。

  • 耐候性與壽命: 戶外基地台需應對極端天候,零件壽命必須長達 10 年以上。

  • MIMO 技術支持:大規模陣列天線架構下,需要大量微型 MLCC 進行訊號解耦與雜訊過濾。

  • 低功耗需求: 為符合綠色通訊趨勢,通訊用 MLCC 必須持續壓低寄生電阻與能量損耗。

隨著 6G 研發正式啟動,MLCC 面對的已不只是規格升級,而是物理極限的挑戰,必須確保低感抗、低損耗將從「加分項」變成「入場門檻」。因此,當頻率持續拉高、元件尺寸卻無法無限縮小,電路架構必定需要重新設計。

另外,被動元件與通訊晶片的界線將逐漸模糊。透過 LTCC 等模組化封裝技術,將 MLCC 功能直接整合進陶瓷基板,不僅能縮短傳輸路徑,也有助於解決 5G 時代已浮現的高功耗與高熱問題。對 MLCC 產業而言,這不只是需求成長,而是角色升級。

10

被動元件產業展望與淨零趨勢

MLCC 產業將正式進入「品質勝於產量」的成熟成長階段。需求端雖持續受 AI 與車用電子推升,但決定競爭勝負的,已不再只是產能與規格,而是製造體系本身是否符合國際客戶對「永續供應鏈」的基本門檻。

MLCC 的製程高度仰賴高溫燒結與金屬電極材料,本身即屬高能耗、高碳排產業。隨著歐美品牌與車廠陸續將碳足跡納入採購評分,低碳製造不再是加分題,而是進入供應名單的必要條件。未來,MLCC 的價值評估,將同時來自產品性能與生產過程的環境績效,這是一場結合了數位韌性與 ESG 治理的全面賽局。

  • 綠色材料研發:向可回收陶瓷粉末與低鉛、低貴金屬含量的電極配方,降低環境負擔。

  • 能源管理優化:在燒結製程導入廢熱回收系統與再生能源用電,實質降低單位產品碳排。

  • 循環經濟布局:建立失效元件中鎳、銅、鈀等金屬的回收體系,減少原料價格波動風險。

  • 供應鏈透明度: 透過數位憑證記錄產品從礦石到出廠的完整碳排數據,應對碳費壓力。

從產業角度來看,如何把綠色製造,從一項成本支出,轉化為爭取訂單的結構性優勢,將決定企業能否跳脫傳統工業「成長必然伴隨高碳排」的路徑依賴。

在 AI 與電動車供應鏈中,高品質、低碳排的 MLCC 將享有更高的議價能力與長期合作機會。對被動元件三雄而言,ESG 不再只是治理語言,而是下一階段競爭力的核心組成。能同時駕馭技術突破與治理創新的企業,才有機會在成熟產業中,拉開新的差距。

10

被動元件產業展望與淨零趨勢

MLCC 產業將正式進入「品質勝於產量」的成熟成長階段。需求端雖持續受 AI 與車用電子推升,但決定競爭勝負的,已不再只是產能與規格,而是製造體系本身是否符合國際客戶對「永續供應鏈」的基本門檻。

MLCC 的製程高度仰賴高溫燒結與金屬電極材料,本身即屬高能耗、高碳排產業。隨著歐美品牌與車廠陸續將碳足跡納入採購評分,低碳製造不再是加分題,而是進入供應名單的必要條件。未來,MLCC 的價值評估,將同時來自產品性能與生產過程的環境績效,這是一場結合了數位韌性與 ESG 治理的全面賽局。

  • 綠色材料研發:向可回收陶瓷粉末與低鉛、低貴金屬含量的電極配方,降低環境負擔。

  • 能源管理優化:在燒結製程導入廢熱回收系統與再生能源用電,實質降低單位產品碳排。

  • 循環經濟布局:建立失效元件中鎳、銅、鈀等金屬的回收體系,減少原料價格波動風險。

  • 供應鏈透明度: 透過數位憑證記錄產品從礦石到出廠的完整碳排數據,應對碳費壓力。

從產業角度來看,如何把綠色製造,從一項成本支出,轉化為爭取訂單的結構性優勢,將決定企業能否跳脫傳統工業「成長必然伴隨高碳排」的路徑依賴。

在 AI 與電動車供應鏈中,高品質、低碳排的 MLCC 將享有更高的議價能力與長期合作機會。對被動元件三雄而言,ESG 不再只是治理語言,而是下一階段競爭力的核心組成。能同時駕馭技術突破與治理創新的企業,才有機會在成熟產業中,拉開新的差距。

10

被動元件產業展望與淨零趨勢

MLCC 產業將正式進入「品質勝於產量」的成熟成長階段。需求端雖持續受 AI 與車用電子推升,但決定競爭勝負的,已不再只是產能與規格,而是製造體系本身是否符合國際客戶對「永續供應鏈」的基本門檻。

MLCC 的製程高度仰賴高溫燒結與金屬電極材料,本身即屬高能耗、高碳排產業。隨著歐美品牌與車廠陸續將碳足跡納入採購評分,低碳製造不再是加分題,而是進入供應名單的必要條件。未來,MLCC 的價值評估,將同時來自產品性能與生產過程的環境績效,這是一場結合了數位韌性與 ESG 治理的全面賽局。

  • 綠色材料研發:向可回收陶瓷粉末與低鉛、低貴金屬含量的電極配方,降低環境負擔。

  • 能源管理優化:在燒結製程導入廢熱回收系統與再生能源用電,實質降低單位產品碳排。

  • 循環經濟布局:建立失效元件中鎳、銅、鈀等金屬的回收體系,減少原料價格波動風險。

  • 供應鏈透明度: 透過數位憑證記錄產品從礦石到出廠的完整碳排數據,應對碳費壓力。

從產業角度來看,如何把綠色製造,從一項成本支出,轉化為爭取訂單的結構性優勢,將決定企業能否跳脫傳統工業「成長必然伴隨高碳排」的路徑依賴。

在 AI 與電動車供應鏈中,高品質、低碳排的 MLCC 將享有更高的議價能力與長期合作機會。對被動元件三雄而言,ESG 不再只是治理語言,而是下一階段競爭力的核心組成。能同時駕馭技術突破與治理創新的企業,才有機會在成熟產業中,拉開新的差距。

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